Introduction à la Gravure de Semi-conducteurs
La transition de la gravure de 5 nm à 4 nm a permis des avancées significatives dans la densité des transistors, influençant directement la performance des composants électroniques. Cette évolution technologique se traduit par une augmentation de la densité de transistors de 92,9 mtr/mm² à 117,78 mtr/mm², soit une hausse impressionnante de 26,8 %.
Comparaison entre CCD Elodra et CCD Zen 4
Cette amélioration de la densité des transistors est particulièrement visible dans les nouvelles architectures. Par exemple, un CCD Elodra contient désormais 8,315 milliards de transistors, comparé aux 6,5 milliards d’un CCD Zen 4. Cela montre clairement l’impact positif de la réduction de la taille de gravure sur l’augmentation de la capacité des transistors.
Les Changements dans l’Architecture Ryzen
Il est intéressant de noter que, malgré les avancées dans la densité des transistors pour les CCD, l’IOD (Input/Output Die) n’a pas connu de modifications significatives entre les générations Zen 4 et Zen 5. Le tableau ci-dessous résume les différentes tailles et densités des générations Ryzen depuis l’introduction de l’architecture Zen :
Tableau Comparatif des Générations Ryzen
Architecture | Nœud de Gravure | Surface du Die | Densité Transistors | Transistors
Zen (Zeppelin) | 14 nm | 212 mm² | 22,6 mtr/mm² | 4,8 milliards
Zen+ (Zeppelin) | 12 nm | 212 mm² | 22,6 mtr/mm² | 4,8 milliards
Zen 2 CCD (Aspen Highlands, Ryzen 3000) | – | – | – | –
En conclusion, la réduction de la taille de gravure de 5 nm à 4 nm a permis des avancées notables dans la densité des transistors, augmentant ainsi les performances des nouvelles générations de processeurs tout en maintenant une stabilité dans l’architecture IOD.